|
||||||||||||||||||||||||||
Статьи и новости: |
Объявление.Инновационный многопрофильный образовательный комплекс ГБОУ г.Москвы гимназия №1796 «Гольяново» проводит дополнительный набор учащихся 5-11 классов для обучения в предпрофильных и профильных классах следующих направленностей на 2014/15 учебный год:
Список государственных институтов Ельца.
|
ВУЗ | Елецкий государственный университет им. И.А. Бунина |
Адрес | 399770, Липецкая область, г. Елец, ул. Коммунаров, д. 28 |
Телефоны | (47467) 2-21-93, 2-62-95 |
Город расположения | Елец |
Регион | Липецкая область |
Организационная форма | |
Государственная аккредитация до | 24 июня 2010 года |
Лицензия до | 30 июня 2010 года |
Специальности | СПИСОК СПЕЦИАЛЬНОСТЕЙ |
Допольнительная информация | |
WWW | www.elsu.ru |
elpinst@yelets.lipetsk.ru |
Из Большой Советской Энциклопедии.
S-приборы, полупроводниковые приборы, действие которых основано на S-oбразной вольтамперной характеристике, на которой есть один (АВ) или несколько участков с отрицательным сопротивлением (см. рис.). У полупроводниковых приборов существует 2 типа нелинейных вольтамперных характеристик. Один из них характеризуется N-oбразной формой (см. Туннельный диод, Ганна диод), другой — S-oбразной. S-п. реализуются различными способами. Первым S-п. был кристадин. К S-п. относятся четырёхслойные структуры, в которых чередуются слои полупроводника с проводимостями nи р-типов (тетристор). Четырёхслойная структура содержит три р — n-перехода (см. Электронно-дырочный переход). Рабочий диапазон токов и напряжений тетристоров колеблется от единиц до десятков и сотен а и от десятков до нескольких сотен в и выше. Др. распространённым S-п. является двухбазовый диод (однопереходный транзистор), у которого имеются 3 электрода и 2 ц