|
||||||||||||||||||||||||||
Статьи и новости: |
Объявление.Инновационный многопрофильный образовательный комплекс ГБОУ г.Москвы гимназия №1796 «Гольяново» проводит дополнительный набор учащихся 5-11 классов для обучения в предпрофильных и профильных классах следующих направленностей на 2014/15 учебный год:
Костромские институты.
|
ВУЗ | Филиал Российского государственного гуманитарного университета в г. Костроме |
Адрес | 156022, Костромская область, г. Кострома, ул. Голубкова, д. 12а |
Телефоны | (4942) 33-51-11 |
Город расположения | Кострома |
Регион | Костромская область |
Организационная форма | |
Государственная аккредитация до | 28 марта 2010 года |
Лицензия до | 28 марта 2011 года |
Специальности | СПИСОК СПЕЦИАЛЬНОСТЕЙ |
Допольнительная информация | |
WWW | kostroma.rsuh.ru |
rggu.kostroma@mail.ru |
Из Большой Советской Энциклопедии.
Электронно-дырочный переход (p —n-переход), область полупроводника, в которой имеет место пространственное изменение типа проводимости (от электронной n к дырочной p). Поскольку в р-области Э.-д. п. концентрация дырок гораздо выше, чем в n-области, дырки из n -области стремятся диффундировать в электронную область. Электроны диффундируют в р-область. Однако после ухода дырок в n-области остаются отрицательно заряженные акцепторные атомы, а после ухода электронов в n-области — положительно заряженные донорные атомы. Т. к. акцепторные и донорные атомы неподвижны, то в области Э.-л. п. образуется двойной слой пространственного заряда — отрицательные заряды в р-области и положительные заряды в n -области (рис. 1). Возникающее при этом контактное электрическое поле по величине и направлению таково, что оно противодействует диффузии свободных носителей тока через Э.-д. п.; в условиях т