|
||||||||||||||||||||||||||
Статьи и новости: |
Объявление.Инновационный многопрофильный образовательный комплекс ГБОУ г.Москвы гимназия №1796 «Гольяново» проводит дополнительный набор учащихся 5-11 классов для обучения в предпрофильных и профильных классах следующих направленностей на 2014/15 учебный год:
Омские университеты.
|
ВУЗ | Омский государственный педагогический университет |
Адрес | 644099, Омская область, г. Омск, Набережная им. Тухачевского, д. 14 |
Телефоны | (3812) 23-63-13, 25-14-62 |
Город расположения | Омск |
Регион | Омская область |
Организационная форма | |
Государственная аккредитация до | 10 декабря 2008 года |
Лицензия до | 10 января 2009 года |
Специальности | СПИСОК СПЕЦИАЛЬНОСТЕЙ |
Допольнительная информация | |
WWW | www.omgpu.ru |
omgpu@omsk.edu |
Из Большой Советской Энциклопедии.
Эпитаксия (от эпи... и греч. taxis — расположение, порядок), ориентированный рост одного кристалла на поверхности другого (подложки). Различают гетероэпитаксию, когда вещества подложки и нарастающего кристалла различны, и гомоэпитаксию (автоэпитаксию), когда они одинаковы. Ориентированный рост кристалла внутри объёма другого называется эндотаксией. Э. наблюдается при кристаллизации из любых сред (пара, раствора, расплава); при коррозии и т. д. Э. определяется условиями сопряжения кристаллических решёток нарастающего кристалла и подложки, причём существенно их структурно-геометрическое соответствие. Легче всего сопрягаются вещества, кристаллизирующиеся в одинаковых или близких структурных типах, например, гранецентрированного куба Ag и решётки типа NaCI, сфалерита и решётки типа алмаза.
Однако Э. можно получить и для резко различающихся структур, например решёток типа корунда и алмаза.
При описании Э. указываются плоскости срастания и направления в них: [112] (111)