|
||||||||||||||||||||||||||
Статьи и новости: |
Объявление.Инновационный многопрофильный образовательный комплекс ГБОУ г.Москвы гимназия №1796 «Гольяново» проводит дополнительный набор учащихся 5-11 классов для обучения в предпрофильных и профильных классах следующих направленностей на 2014/15 учебный год:
Высшие Учебные Зведения Москвы. Москва.
|
ВУЗ | Московский новый юридический институт |
Адрес | 107564, г. Москва, Погонный проезд, д. 7а |
Телефоны | (495) 734-56-03 |
Город расположения | Москва |
Регион | Москва |
Организационная форма | |
Государственная аккредитация до | 06 марта 2012 года |
Лицензия до | 21 апреля 2007 года |
Специальности | СПИСОК СПЕЦИАЛЬНОСТЕЙ |
Допольнительная информация | |
WWW | www.mnyi.ru |
mnyi@mnyi.ru |
Из Большой Советской Энциклопедии.
Туннельная эмиссия (автоэлектронная, холодная, электростатическая, полевая), испускание электронов твёрдыми и жидкими проводниками под действием внешнего электрического поля Е высокой напряжённости (Е ~ 107 в/см). Т. э. была обнаружена в 1897 Р. Вудом (США). В 1929 Р. Милликен и К. Лоритсен установили линейную зависимость логарифма плотности тока j Т. э. от обратной напряжённости электрического поля: 1/Е. В 1928—29 Р. Фаулер и Л. Нордхейм дали теоретическое объяснение Т. э. на основе туннельного эффекта. Т. э. — результат туннельного «просачивания» электронов сквозь потенциальный барьер, существующий на границе проводник — вакуум (или др. среда). Сильное электрическое поле снижает этот барьер и делает его достаточно проницаемым (то есть относительно тонким и невысоким). Распространённый термин «автоэлектронная эмиссия» отражает отсутствие энергетических затрат на возбуждение электронов, свойственных др. видам электронной эмиссии. В заруб