|
||||||||||||||||||||||||||
Статьи и новости: |
Объявление.Инновационный многопрофильный образовательный комплекс ГБОУ г.Москвы гимназия №1796 «Гольяново» проводит дополнительный набор учащихся 5-11 классов для обучения в предпрофильных и профильных классах следующих направленностей на 2014/15 учебный год:
Список Высших Учебных Зведений Красноярска.
|
ВУЗ | Красноярская государственная архитектурно-строительная академия |
Адрес | 660041, Красноярский край, г. Красноярск, просп. Свободный, д. 82 |
Телефоны | (3912) 44-69-40 |
Город расположения | Красноярск |
Регион | Красноярский край |
Организационная форма | |
Государственная аккредитация до | 27 декабря 2007 года |
Лицензия до | 22 октября 2010 года |
Специальности | СПИСОК СПЕЦИАЛЬНОСТЕЙ |
Допольнительная информация | |
WWW | www.gasa.krs.ru |
info@kgasa.ru |
Из Большой Советской Энциклопедии.
Полупроводники аморфные, вещества в твёрдом аморфном состоянии, обладающие свойствами полупроводников (см. Аморфное состояние). П. а. разделяют на 3 группы: ковалентные (аморфные Ge и Si, InSb, GaAs и др.), халькогенидные стекла (например, As31Ge30Se21Te18), оксидные стекла (например, V2O5 — P2O5) и диэлектрические плёнки (SiOx, Al2O3, Si3N4 и др.).
Энергетический спектр П. а. отличается от кристаллического П. наличием «хвостов» плотности электронных состояний, проникающих в запрещенную зону. По одной из теорий, П. а. следует рассматривать как сильно легированный и сильно компенсированный полупроводник, у которого «дно» зоны проводимости и «потолок» валентной зоны флуктуируют, причём это — крупномасштабные флуктуации порядка ширины запрещенной зоны. Электроны в зоне проводимости (и дырки в валентной зоне) разбиваются на систему «