ВУЗы по
специальностям

ВУЗы по
городам

ВУЗы по
регионам

ВУЗы по
округам
 
Статьи и новости:

2013.2.13 Курящая женщина
2013.2.5 Как правильно написать сочинение
2013.2.1 Как быстро выучить иностранный язык.
2013.1.29 Бюджетный iPhone
2013.1.28 На реке Нил построят плавающий город.
2013.1.25 Клонирование вымирающих видов животных
2013.1.21 Любите ли вы своего ребёнка?
2013.1.17 Как избежать перегрузок в школе?
2013.1.13 Детское курение
2013.1.10 Беспокойство разрушает логику..
2013.1.8 Что делать если ты хочешь добиться чего-нибудь в этой жизни?
2013.1.1 Образование в Украине.
2012.12.29 Выбираем новогоднюю елку
2012.12.28 Зачем ходить на лекции, если можно заниматься более полезными вещами?
2012.12.27 Как сделать карьеру?
2012.12.25 Управление временем
2012.12.20 Обучение экстерном в ВУЗе _ хорошая альтернатива для одарённых или работающих студентов
2012.12.18 Взрослые или все же дети? Насколько важно дать возможность ребенку вести самостоятельную жизнь
2012.12.16 Деяния вычислительной техники.Как появился первый компьютер.
2012.12.06 Общая характеристика системы образования.
2012.11.30 Семейный капитал – для вашего благополучия

Объявление.

Инновационный многопрофильный образовательный комплекс ГБОУ г.Москвы гимназия №1796 «Гольяново» проводит дополнительный набор учащихся 5-11 классов для обучения в предпрофильных и профильных классах следующих направленностей на 2014/15 учебный год:

  1. филологический (английский, французский, испанский языки);
  2. математический (математика, физика, информатика);
  3. социально-экономический (история, обществознание, экономика, право);
  4. естественно-научный (биология, химия).

Узнать подробнее...

ВУЗы в Нижнекамске с обучением по специальности
Бухгалтерский учет, анализ и аудит.



Нижнекамский филиал Института экономики, управления и права (г. Казань)
Нижнекамский филиал Московского гуманитарно-экономического института
А знаете ли Вы, что...

Из Большой Советской Энциклопедии.

Электронно-дырочная жидкость, конденсированное состояние неравновесной электронно-дырочной плазмы в полупроводниках (см. Плазма твёрдых тел). Э.-д. ж. образуется, когда концентрация электронов и дырок (свободных или связанных в экситоны) превышает некоторое, зависящее от температуры критическое значение nkp. Эта концентрация легко достигается с помощью инжекции носителей, освещения полупроводника и т. п. При достижении nkp система неравновесных носителей тока претерпевает фазовый переход, подобный переходу газ — жидкость, в результате которого она расслаивается на две фазы: капли относительно плотной Э.-д. ж., окруженные газом экситонов, и свободных носителей. При этом плотность и кристаллическая структура полупроводника практически не затрагиваются. В отличие от обычных жидкостей, в Э.-д. ж. отсутствуют тяжёлые частицы (ионы, атомные ядра). Поэтому Э.-д. ж. обладает сильно выраженными квантовыми свойствами: она не может кристаллизоваться,