ВУЗы по
специальностям

ВУЗы по
городам

ВУЗы по
регионам

ВУЗы по
округам

 
Статьи и новости:

2013.2.13 Курящая женщина
2013.2.5 Как правильно написать сочинение
2013.2.1 Как быстро выучить иностранный язык.
2013.1.29 Бюджетный iPhone
2013.1.28 На реке Нил построят плавающий город.
2013.1.25 Клонирование вымирающих видов животных
2013.1.21 Любите ли вы своего ребёнка?
2013.1.17 Как избежать перегрузок в школе?
2013.1.13 Детское курение
2013.1.10 Беспокойство разрушает логику..
2013.1.8 Что делать если ты хочешь добиться чего-нибудь в этой жизни?
2013.1.1 Образование в Украине.
2012.12.29 Выбираем новогоднюю елку
2012.12.28 Зачем ходить на лекции, если можно заниматься более полезными вещами?
2012.12.27 Как сделать карьеру?
2012.12.25 Управление временем
2012.12.20 Обучение экстерном в ВУЗе _ хорошая альтернатива для одарённых или работающих студентов
2012.12.18 Взрослые или все же дети? Насколько важно дать возможность ребенку вести самостоятельную жизнь
2012.12.16 Деяния вычислительной техники.Как появился первый компьютер.
2012.12.06 Общая характеристика системы образования.
2012.11.30 Семейный капитал – для вашего благополучия





Объявление.

Инновационный многопрофильный образовательный комплекс ГБОУ г.Москвы гимназия №1796 «Гольяново» проводит дополнительный набор учащихся 5-11 классов для обучения в предпрофильных и профильных классах следующих направленностей на 2014/15 учебный год:

  1. филологический (английский, французский, испанский языки);
  2. математический (математика, физика, информатика);
  3. социально-экономический (история, обществознание, экономика, право);
  4. естественно-научный (биология, химия).

Узнать подробнее...


ВУЗы в Брянске с обучением по специальности
Профессиональное обучение (по отраслям).



Брянский государственный технический университет
Брянский государственный университет имени академика И.Г. Петровского

А знаете ли Вы, что...

Из Большой Советской Энциклопедии.

Кикоина — Носкова эффект, фотомагнитноэлектрический эффект, возникновение электрического поля в освещенном полупроводнике, помещенном в магнитное поле. Электрическое поле перпендикулярно магнитному полю и потоку носителей тока (электронов проводимости, дырок), диффундирующих в полупроводнике в направлении от освещенной стороны полупроводника, где поглощённые фотоны образуют электронно-дырочные пары, к неосвещенной. К. — Н. э. наблюдается при резко неоднородной концентрации неосновных носителей тока, что достигается при сильном поглощении света. Открыт в 1933 И. К. Кикоиным и М. М. Носковым. Применяется при исследовании полупроводников.