Ω
Ω
Ω
Ω
Реклама на сайте
 

Филиал Российского государственного гуманитарного университета в г. Улан-Удэ.

ВУЗ Филиал Российского государственного гуманитарного университета в г. Улан-Удэ
Адрес 670031, Республика Бурятия, г. Улан-Удэ, бульвар К. Маркса, д. 14б
Телефоны (3012) 23-54-04, 23-06-11
Город расположения Улан-Удэ
Регион Республика Бурятия
Организационная форма
Государственная аккредитация до 28 марта 2010 года
Лицензия до 15 мая 2011 года
Специальности Документоведение и документационное обеспечение управления
Историко-архивоведение
Культурология
Мировая экономика
Музеология
Организация и технология защиты информации
Прикладная информатика (по областям применения)
Финансы и кредит
Экономика и управление на предприятии (по отраслям)
Допольнительная информация
WWW -
E-mail bfrggu@burnet.ru

Брянск ВУЗы, Институты Владикавказ, Институты Санкт-Петербурга, Волгоградский государственный университет, Автоматизированные системы обработки информации и управления институт, Естественнонаучное образование, Республика Бурятия институты, ВУЗы Москва, ВУЗы Благовещенска, Институты Государственное и муниципальное управление, ВУЗы в Дмитрове, Забайкальский край ВУЗы, Институт Химическая технология неорганических веществ и материалов в Иваново

А знаете ли Вы, что...

Из Большой Советской Энциклопедии.

Транзистор (от англ. transfer — переносить и resistor — сопротивление), электронный прибор на основе полупроводникового кристалла, имеющий три (или более) вывода, предназначенный для генерирования и преобразования электрических колебаний. Изобретён в 1948 У. Шокли, У. Браттейном и Дж. Бардином (Нобелевская премия, 1956). Т. составляют два основных крупных класса: униполярные Т. и биполярные Т.

В униполярных Т. протекание тока через кристалл обусловлено носителями заряда только одного знака — электронами или дырками (см. Полупроводники). Подробно об униполярных Т. см. в ст. Полевой транзистор.

В биполярных Т. (которые обычно называют просто Т.) ток через кристалл обусловлен движением носителей заряда обоих знаков. Такой Т. представляет собой (рис. 1) монокристаллическую полупроводниковую пластину, в которой с помощью особых технологических приёмов созданы 3 области с разной проводимостью: дырочной (p) и электронной (n). В зависимости от