Ω
Ω
Ω
Ω
Реклама на сайте
 

Общевойсковая академия Вооруженных Сил Российской Федерации.

ВУЗ Общевойсковая академия Вооруженных Сил Российской Федерации
Адрес 119992, г. Москва, проезд Девичьего поля, д. 4
Телефоны (495) 246-01-44
Город расположения Москва
Регион Москва
Организационная форма
Государственная аккредитация до 25 мая 2009 года
Лицензия до 10 сентября 2010 года
Специальности Государственное и муниципальное управление
Защита в чрезвычайных ситуациях
Многоцелевые гусеничные и колесные машины
Организация гражданской защиты (обороны). Боевая и повседневная деятельность органов управления и войск гражданской обороны
Промышленное и гражданское строительство
Радиотехника
Транспортные машины и транспортно-технологические комплексы
Управление боевым обеспечением войск (сил) (по видам Вооруженных Сил, родам войск, специальным войскам)
Управление воинскими частями и соединениями (по видам Вооруженных Сил, родам войск, специальным войскам)
Управление производством и развитием вооружения и военной техники
Управление эксплуатацией вооружения, военной техники и техническим обеспечением войск (сил) (по видам Вооруженных Сил, родам войск, специальным войскам)
Электроснабжение
Допольнительная информация
WWW -
E-mail -

Сервис, Институты Калуга, Камская государственная инженерно-экономическая академия, ВУЗы Камышин, Институты Технология производства и переработки сельскохозяйственной продукции, Кировская область ВУЗы, ВУЗы в Коломне, Институт Управление качеством в Королеве, Институт Менеджмент, Педагогика и психология ВУЗы

А знаете ли Вы, что...

Из Большой Советской Энциклопедии.

Полупроводниковый детектор в ядерной физике, прибор для регистрации ионизирующих излучений, основным элементом которого является кристалл полупроводника. П. д. работает подобно ионизационной камере с тем отличием, что ионизация происходит не в газовом промежутке, а в толще кристалла. П. д. представляет собой полупроводниковый диод, на который подано обратное (запирающее) напряжение (~ 102 в). Слой полупроводника вблизи границы р—n-перехода (см. Электронно-дырочный переход) с объёмным зарядом «обеднён» носителями тока (электронами проводимости и дырками) и обладает высоким удельным электросопротивлением. Заряженная частица, проникая в него, создаёт дополнительные (неравновесные) электронно-дырочные пары, которые под действием электрического поля «рассасываются», перемещаясь к электродам П. д. В результате во внешней цепи П. д. возникает электрический импульс, который далее усиливается и регистрируется (см. рис.).

Заряд, собранный на